倒计时

26-Day countdown to DIC 2021

2021年是Mini LED显示技术成熟商用化元年。在技术层面上，我们仍然面临着半导体及显示行业技术跨界融合的巨大挑战，整个工艺及产业链上仍然存在如LED芯片微缩化、间距缩小、巨量转移、缺陷修补等诸多问题待克服。

在此背景下，中国光学光电子行业协会液晶分会将联合中国光学光电子行业协会LED显示应用分会、中国知名电子信息产业咨询公司CINNO Research在DIC 2021展会同期，以「跨界融合、创新发展」为主题，举办首届「国际Mini/MicroLED供应链创新发展峰会（IMDS）」，并邀请到Mini/Micro LED供应链中的核心企业家们相聚一堂，围绕Mini/MicroLED供应链发展中所面临的机遇和挑战，探讨如何通过上下游协作，整合设备、材料、生产、工艺、应用、品牌等资源，携手打好破局之战，实现良好开端！

演讲嘉宾

中国科学院院士/南昌大学党委委员兼副校长

江风益

目前，Micro-LED技术正面临两大挑战，首先是大家熟知的实现巨量转移技术非常困难，另一个就是缺乏高效可靠的红光Micro-LED芯片。

目前的红光LED是由AlGaInP材料制成，在正常芯片尺寸下，其效率高达60%以上。然而，当芯片尺寸缩小到微米量级时，其效率会急剧降低到1%以下。此外，AlGaInP材料较差的力学性能给巨量转移增加了新的困难，因为巨量转移要求材料具有良好的机械强度，以避免在芯片抓取和放置过程中出现开裂。

InGaN材料在具有较好机械稳定性和较短空穴扩散长度的同时，又与InGaN基绿光、蓝光Micro-LED兼容，是红光Micro-LED的较佳选择。然而，InGaN基红光量子阱存在严重的铟偏析问题，这将导致红光量子阱中的非辐射复合增加，从而引起效率降低。在过去20年的研究中，InGaN基红光LED功率转换效率不足2.5%。铟偏析问题严重阻碍了InGaN基红光LED的发展。因此，如何解决铟偏析问题是获得高效InGaN基红光LED的关键。

去年，南昌大学的江风益院士课题组在Photonics Research 2020年第8卷第11期上展示了他们最新研制的高光效InGaN基橙-红光LED结果。　　

(a) 高光效橙光LED外延材料结构示意图 (b) 其断面TEM测试结果

此项工作基于硅衬底氮化镓技术，引入了铟镓氮红光量子阱与黄光量子阱交替生长方法，并结合V形坑技术，从而大幅缓解了红光量子阱中高In组分偏析问题。再依据V形p-n结和量子阱带隙工程大幅提升了红光量子阱中的辐射复合速率。

使用该技术成功制备了一系列高效的InGaN基橙-红光LED。当发光波长分别为594nm、608nm和621nm时，其功率转换效率分别为30.1%、24.0%以及 16.8%，光效相较于以往报道的相同波段InGaN基LED结果整体提高了约十倍。

研究人员认为，该项技术在未来还有较大的进步空间，同时该团队的实验结果也证明了InGaN材料在制作显示应用的红光像素芯片上将有巨大潜力和美好前景。

参会费用

票价：3500元/人；

早鸟价：3000元/人，优惠码：【DIC2021】5.31前报名专享

（早鸟价已截止~）

会员价：3000元/人（液晶分会CODA会员专享，会员码请联系协会工作人员索取）

联系方式

CODA

Mobile: 010-5716-1800

E-mail: member@coda.sinanet.com

JTB 胡女士

Mobile: +86 18616824191

E-mail: dic2021@jtbsha.com

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2021年DIC EXPO观众火热报名中……

展会时间：2021.6.30-7.2

展会地址：上海新国际博览中心