演讲题目：

Micro LED 微显示技术研究进展

演讲概要:

基于氮化镓(GaN)基半导体的Micro-LED材料与芯片及其在消费电子、汽车车载显示、VR/AR虚拟增强显示等方面应用受到学术界与产业界极大的关注。当前Micro-LED显示技术仍面临巨量转移精度与效率、红光缺失、芯片效率Droop效应等科学与技术难题。针对上述问题，我们发展MOCVD生长新技术，获得了高质量、弱极化场InGaN/GaN量子阱结构，实现橙红长波长630nm的LED器件以及Micro-LED阵列，Droop效应得到明显抑制；设计并成功指标量子点集成的RGB全色的混合结构Micro-LED阵列；提出了基于二维MoS2材料TFT驱动电路集成的超高分辨氮化镓Micro-LED异质集成芯片微显示方案，实现高亮度微显示器。上述研究结果为高效全彩显示、高分辨透明显示、可见光通讯等应用提供了新技术路径。